Congreso internacional:
Año: 2003, Improved Hemt devices from AlGaN/GaN heterojunctions using AlN interlayers
Medio de publicación:
Congreso: 27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (Wocsdice 2003). Fürigen, Suiza. 26-28 Mayo, 2003
Autores: A. Jiménez, J. M. Tirado, Z. Bougrioua, A. F. Braña, J. Grajal, P. Cubilla, E.
Resumen:
Improved Hemt devices from AlGaN/GaN heterojunctions using AlN interlayers
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